CJAC70N03S
平面型MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中
CJAC70N03S MOSFET 产品详情
产品概述
CJAC70N03S是长晶科技（JSCJ）推出的一款N沟道30V/70A平面型MOSFET，采用先进的沟槽工艺，具有低导通电阻和高效开关特性。该器件采用PDFNWB5x6-8L封装，适用于高密度PCB设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电池保护等场合。
封装尺寸与引脚说明
PDFNWB5x6-8L封装尺寸为5mm x 6mm，高度约0.8mm，8引脚配置。引脚1为栅极（G），2-7引脚为源极（S），8引脚为漏极（D）。底部大散热焊盘与漏极相连，有助于散热。PCB布局时建议在散热焊盘下方布置散热过孔，以降低热阻。
热阻参数解析
热阻是评估MOSFET散热能力的关键参数：
- 结到外壳热阻（Rth-JC）：典型值4.8°C/W，表示从芯片结到封装外壳的热传递效率。
- 结到环境热阻（Rth-JA）：典型值60°C/W（无散热器），实际值受PCB铜面积和气流影响。降低Rth-JA可通过增加铜箔面积和通风实现。
最大功耗计算方法
最大功耗PD = (TJ,max - TA) / Rth-JA。假设TJ,max=150°C，TA=25°C，则PD = (150-25)/60 ≈ 2.08W。若使用散热器降低Rth-JA，可显著提升功耗能力。
散热片选型建议
当功耗超过2W时，建议使用散热片。选择散热片时需确保其热阻与Rth-JC串联后满足总热阻要求。例如，若需功耗10W，总热阻需≤12.5°C/W，则散热片热阻需低于7.7°C/W。推荐使用铝制散热片，配合导热硅脂安装。
电气参数
- VDS: 30V
- VGS: ±20V
- ID: 70A
- VGS(th): 1.0~2.5V
- RDS(on) @ VGS=4.5V: 4.8mΩ
- RDS(on) @ VGS=10V: 6mΩ
- RDS(on) @ VGS=11V: 6.5mΩ
- RDS(on) @ VGS=12V: 9.5mΩ
采购渠道
CJAC70N03S可通过长晶科技官方授权分销商购买，如南山电子等。建议批量采购时联系原厂或代理商获取最优价格。样品可向JSCJ申请。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | 30 | V |
| VGS | ±20 | |
| ID | 70 | A |
| VGSTH | 1.0~2.5 | V |
| RDSM VGS | 4.8 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 6 | |
| RDSM VGS 11 | 6.5 | |
| RDSM VGS 12 | 9.5 | mΩ |
CJAC70N03S 常见问题
Q：CJAC70N03S 是什么器件？
A：CJAC70N03S 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJAC70N03S 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAC70N03S的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAC70N03S.pdf 直接下载。
Q：CJAC70N03S 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJAC70N03S 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJAC70N03S 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJAC70N03S 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJAC70N03S 现货价格是多少？
A：CJAC70N03S 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。