CJAE35P03
平面型MOSFET DFNWB3x3-8L ✓ 量产中
CJAE35P03 MOSFET 产品定位
CJAE35P03是长晶科技（JSCJ）推出的一款单P沟道、-30V耐压、-35A连续漏极电流的功率MOSFET，采用先进的Trench工艺和DFNWB3x3-8L小型封装，专为低压、大电流应用中的高效开关和电池保护而设计。
选型维度解析
在MOSFET选型中，工程师需在以下关键参数间权衡：
- 耐压（VDS）：-30V的额定电压适合12V/24V系统，留有充足余量应对尖峰。
- 电流（ID）：-35A的连续电流能力满足中等功率负载需求，但需注意实际散热条件。
- 导通电阻（RDS(on)）：在VGS=-10V时典型值15mΩ，低RDS(on)有助于降低导通损耗，提升效率。
- 封装：DFNWB3x3-8L体积小，适合紧凑布局，但热阻较高，需评估散热设计。
CJAE35P03优势分析
相比同系列其他型号，CJAE35P03在以下维度表现突出：
- 低RDS(on)：15mΩ @ VGS=-10V，在同类-30V P沟道器件中处于领先水平，有效减少功率损耗。
- 阈值电压范围：-1.0V至-2.5V，兼容3.3V/5V逻辑电平驱动，简化驱动电路设计。
- 小型封装：DFNWB3x3-8L节省PCB面积，适用于空间受限的应用。
典型应用推荐
- 电池保护电路（如锂电池充电/放电管理）
- 负载开关（如便携设备电源切换）
- DC-DC转换器中的同步整流或电源管理
同系列型号对比
长晶科技提供多种P沟道MOSFET，例如CJAE35P03（-30V/35A/15mΩ）、CJAE20P03（-30V/20A/25mΩ）、CJAE50P03（-30V/50A/10mΩ）。CJAE35P03在电流与RDS(on)之间取得平衡，适合中等功率应用。
南山电子选型支持
南山电子作为长晶科技授权代理商，提供CJAE35P03样品、技术资料及选型咨询。联系我们获取详细规格书、应用笔记及免费样品，助力您的产品快速上市。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-P | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | -30 | V |
| VGS | ±20 | |
| ID | -35 | A |
| VGSTH | -1.0~-2.5 | V |
| RDSM VGS | 10 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 15 | |
| RDSM VGS 11 | 15 | |
| RDSM VGS 12 | 25 | mΩ |
CJAE35P03 常见问题
Q：CJAE35P03 是什么器件？
A：CJAE35P03 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用DFNWB3x3-8L封装。TYPE Single-P，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJAE35P03 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAE35P03的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAE35P03.pdf 直接下载。
Q：CJAE35P03 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJAE35P03 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJAE35P03 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJAE35P03 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJAE35P03 现货价格是多少？
A：CJAE35P03 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。