CJBA3134K
平面型MOSFET DFN1006-3L ✓ 量产中
产品定位：低压大电流场景的理想开关
CJBA3134K是长晶科技推出的单N沟道平面型MOSFET，采用先进Trench工艺，专为电池管理、负载开关及同步整流等低压大电流应用而优化。其DFN1006-3L超小封装，在有限空间内实现高效热管理，满足便携设备对高功率密度的需求。
低RDS(on)优势：显著降低导通损耗
在VGS=4.5V时，CJBA3134K的典型导通电阻仅为250mΩ，VGS=2.5V时为500mΩ。低导通电阻直接减少I²R损耗，提升系统效率，尤其适用于电池供电设备，延长续航时间。同时，内置ESD保护增强了器件可靠性，防止静电损伤。
电气参数表
| 参数 | 条件 | 典型值 |
|---|---|---|
| VDS | - | 20V |
| VGS | ±12V | - |
| ID | TC=25°C | 0.75A |
| VGS(th) | ID=250μA | 0.35~1.1V |
| RDS(on) | VGS=4.5V | 250mΩ |
| RDS(on) | VGS=2.5V | 500mΩ |
电池保护与BMS应用
在电池保护板（BMS）中，CJBA3134K可作为充放电开关，其低导通电阻减少热量产生，配合小封装适应紧凑的电池包设计。典型应用包括单节锂电池保护电路，确保过充、过放和短路保护。
PCB布局与散热建议
为充分发挥低RDS(on)优势，建议将MOSFET靠近负载，缩短大电流路径。DFN1006-3L封装底部有散热焊盘，需确保良好焊接并连接至大面积铜箔。若电流较大，可增加散热过孔。
长晶品牌介绍
长晶科技（JSCJ）是国内领先的半导体器件制造商，专注于分立器件与IC的研发生产。产品涵盖MOSFET、二极管、三极管等，以高可靠性和高性价比著称，广泛应用于消费电子、工业及汽车领域。
南山电子购买渠道
CJBA3134K现已通过南山电子官方商城及授权经销商发售，提供正品保障与技术支持。批量采购可享受优惠价格，详情请咨询南山电子客服。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | Yes | |
| VDS | 20 | V |
| VGS | ±12 | |
| ID | 0.75 | A |
| VGSTH | 0.35~1.1 | V |
| RDSM VGS | 250 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 500 | mΩ |
CJBA3134K 常见问题
Q：CJBA3134K 是什么器件？
A：CJBA3134K 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用DFN1006-3L封装。TYPE Single-N，PROCESS Trench，ESD Yes。
Q：CJBA3134K 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJBA3134K的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJBA3134K.pdf 直接下载。
Q：CJBA3134K 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJBA3134K 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJBA3134K 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJBA3134K 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJBA3134K 现货价格是多少？
A：CJBA3134K 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。