CJL2623
平面型MOSFET SOT-23-6L ✓ 量产中
MOSFET选型指南：CJL2623双P沟道MOSFET详解
CJL2623是长晶科技（JSCJ）推出的双P沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽工艺，在SOT-23-6L封装内集成两个独立的P沟道MOSFET，适用于需要负电压控制的便携设备电源管理。
选型维度解析
- 耐压（VDS）：CJL2623的VDS为-30V，足以应对大多数锂电池供电系统（如单节锂电最高4.2V，多节串联需更高耐压）。实际应用中需考虑电压尖峰，建议降额使用。
- 电流（ID）：额定ID为-3A，但封装热阻限制了实际持续电流。SOT-23-6L的RθJA约150°C/W，在25°C环境温度下，若温升限制在100°C，最大耗散约0.67W，对应持续电流需结合导通电阻计算。
- 导通电阻（RDS(on)）：在VGS=-4.5V时典型值75mΩ，-10V时130mΩ，-4.5V下低阻值有助于减少导通损耗，适合低压驱动场景。
- 封装：SOT-23-6L体积小巧，适合空间受限的设计，但散热能力有限，需注意PCB布局辅助散热。
CJL2623的突出优势
- 双P沟道集成，节省板级空间。
- 低RDS(on)（75mΩ @ VGS=-4.5V），减少导通损耗。
- 阈值电压范围-1.0V~-3.0V，兼容2.5V/3.3V逻辑电平驱动。
- 无ESD保护，需在外部增加保护措施。
典型应用推荐
- 锂电池保护电路（充放电开关）
- 负载开关（如智能穿戴、物联网设备）
- DC-DC转换器中的同步整流（低压侧）
- 便携设备电源路径管理
同系列型号对比
长晶提供多种双P沟道MOSFET，以下为部分型号对比：
| 型号 | VDS (V) | ID (A) | RDS(on) (mΩ @ VGS=-4.5V) | 封装 | ESD |
|---|---|---|---|---|---|
| CJL2623 | -30 | -3 | 75 | SOT-23-6L | 无 |
| CJU2623 | -30 | -3.5 | 65 | SOT-23-6L | 有 |
| CJL2624 | -20 | -4 | 50 | SOT-23-6L | 无 |
工程师可根据实际耐压、电流和RDS(on)需求选择合适的型号。如需更详细参数，请联系南山电子选型支持
南山电子作为长晶授权代理商，提供CJL2623样品、技术资料和选型建议。我们的FAE团队可协助您进行热仿真、电路设计优化，并提供替代型号推荐。欢迎咨询！
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Dual-P | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | -30 | V |
| VGS | ±20 | |
| ID | -3 | A |
| VGSTH | -1.0~-3.0 | V |
| RDSM VGS | 75 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 130 | |
| RDSM VGS 11 | 115 | |
| RDSM VGS 12 | 180 | mΩ |
CJL2623 常见问题
Q：CJL2623 是什么器件？
A：CJL2623 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用SOT-23-6L封装。TYPE Dual-P，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJL2623 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJL2623的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJL2623.pdf 直接下载。
Q：CJL2623 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJL2623 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJL2623 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJL2623 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJL2623 现货价格是多少？
A：CJL2623 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。