CJM2004
平面型MOSFET DFNWB2x2-6L ✓ 量产中
产品定位
CJM2004是长晶科技（JSCJ）推出的一款低压大电流N沟道MOSFET，采用Trench工艺，具有极低的导通电阻（RDS(on)典型值6mΩ @ VGS=4.5V），非常适合电池保护、负载开关及同步整流等低电压、大电流应用场景。其DFNWB2x2-6L小封装节省PCB空间，是便携设备和电池管理系统的理想选择。
低RDS(on)优势分析
CJM2004的RDS(on)在VGS=4.5V时仅为6mΩ（典型值），在VGS=2.5V时为7.5mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。在电池放电或同步整流过程中，低导通电阻可显著减少功率损耗，延长电池续航时间，并降低热生成，简化散热设计。
电气参数表
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 20 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±10 | V |
| 漏极电流（连续） | ID | 15 | A |
| 阈值电压 | VGSTH | 0.5~1.0 | V |
| 导通电阻（VGS=4.5V） | RDS(on) | 6 | mΩ |
| 导通电阻（VGS=2.5V） | RDS(on) | 7.5 | mΩ |
| 封装 | – | DFNWB2x2-6L | – |
电池保护/BMS应用
在电池管理系统中，CJM2004可作为电池保护板上的充放电开关。其低导通电阻有助于减少热损耗，支持高倍率充放电；而20V的VDS额定值可满足单节锂电池保护需求。此外，其紧凑封装适合多节串联BMS模块的紧凑布局。
PCB布局与散热建议
为充分发挥CJM2004的低RDS(on)优势，建议在PCB布局时：
- 将MOSFET靠近电池或负载，缩短大电流路径。
- 使用宽铜箔或覆铜区作为散热通道，必要时增加散热过孔。
- 确保栅极驱动走线短而粗，避免寄生振荡。
- 在封装底部焊盘（如适用）使用大面积焊盘以增强散热。
长晶品牌介绍
长晶科技（JSCJ）是国内知名的半导体分立器件制造商，产品涵盖MOSFET、二极管、三极管等，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子。公司拥有先进的Trench和SGT工艺平台，产品以高性能、高可靠性著称，并通过ISO9001质量管理体系认证。
南山电子购买渠道
南山电子是长晶科技授权代理商，提供CJM2004的现货供应和技术支持。客户可通过南山电子官网或线下销售团队获取样品、询价及批量采购服务，享受快速交货和专业的售前售后支持。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | 20 | V |
| VGS | ±10 | |
| ID | 15 | A |
| VGSTH | 0.5~1.0 | V |
| RDSM VGS | 6 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 7.5 | mΩ |
CJM2004 常见问题
Q：CJM2004 是什么器件？
A：CJM2004 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用DFNWB2x2-6L封装。TYPE Single-N，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJM2004 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJM2004的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJM2004.pdf 直接下载。
Q：CJM2004 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJM2004 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJM2004 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJM2004 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJM2004 现货价格是多少？
A：CJM2004 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。