CJMP2011
平面型MOSFET DFNWB2x2-6L ✓ 量产中
器件简介
CJMP2011是长晶科技（JSCJ）推出的单P沟道平面型MOSFET，采用先进Trench工艺，封装为DFNWB2x2-6L。其额定漏源电压VDS=-20V，连续漏极电流ID=-11A，导通电阻RDS(on)典型值15mΩ（VGS=-4.5V），适用于低压电机驱动、电池保护等应用。
电机驱动为何选择此参数
在电机驱动（如H桥、半桥、三相逆变）中，P沟道MOSFET常用于高端驱动，简化栅极驱动电路。CJMP2011的VDS=-20V可覆盖多数低压直流电机（如12V系统），ID=-11A满足中小功率电机电流需求。低RDS(on)降低导通损耗，提升效率。此外，其体二极管反向恢复特性优化，有助于减少死区时间内的功耗和振荡。
电气特性详解
- 阈值电压VGS(th)：-0.45~-1.2V，典型低阈值便于低压逻辑电平驱动。
- 导通电阻：RDS(on)@VGS=-4.5V为15mΩ（典型），@VGS=-2.5V为23.5mΩ（典型），低电压驱动性能优异。
- 栅极电荷：低栅极电荷（具体值请参考数据手册）支持高速开关，降低驱动损耗。
- 体二极管：反向恢复时间trr优化，减小换向损耗，适合高频PWM。
H桥/半桥应用设计要点
在H桥或半桥拓扑中，CJMP2011作为高端P沟道器件，与N沟道搭配使用。设计时需注意：
1. 栅极驱动：P沟道在栅极电压低于源极时导通，建议使用专用驱动IC或电平移位电路。
2. 自举电路：若使用N沟道高端，则需自举电容；若全P沟道高端，则无需自举，简化设计。
3. 死区时间：利用CJMP2011体二极管的快速反向恢复，可设置较短死区，防止直通。
死区时间与体二极管特性
死区时间设置需考虑体二极管反向恢复。CJMP2011的体二极管反向恢复电荷Qrr较小，反向恢复时间典型值低于50ns（具体值请参考数据手册），允许死区时间低至100ns，减少死区损耗和电压尖峰。
保护电路
建议在栅极串联电阻（10~100Ω）抑制振荡；在漏源间并联RC吸收电路或TVS管，抑制电压尖峰；必要时增加过流检测。
采购信息
CJMP2011采用DFNWB2x2-6L封装，符合RoHS标准。可向长晶科技授权代理商或电商平台（如长晶、南山电子等）采购，批量价格请咨询。库存充足，支持样品申请。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-P | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | -20 | V |
| VGS | ±12 | |
| ID | -11 | A |
| VGSTH | -0.45~-1.2 | V |
| RDSM VGS | 15 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 23.5 | mΩ |
CJMP2011 常见问题
Q：CJMP2011 是什么器件？
A：CJMP2011 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用DFNWB2x2-6L封装。TYPE Single-P，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJMP2011 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJMP2011的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJMP2011.pdf 直接下载。
Q：CJMP2011 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJMP2011 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJMP2011 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJMP2011 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJMP2011 现货价格是多少？
A：CJMP2011 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。