CJMP2202
平面型MOSFET DFNWB2x2-6L ✓ 量产中
产品概述
CJMP2202是长晶科技（JSCJ）推出的P沟道增强型Trench MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术，在DFNWB2x2-6L小型封装内实现极低的导通电阻和优化的开关性能。该器件额定漏源电压VDS为-20V，连续漏极电流ID为-8.6A，典型导通电阻RDS(on)仅为14.5mΩ（VGS=-4.5V），适用于电池保护、负载开关、DC-DC转换器等低压应用。其无ESD保护设计，适合对成本敏感的批量应用。
VDS耐压分析
VDS=-20V的额定值满足大多数低压便携设备需求。实际应用中需考虑电压尖峰，建议降额至80%以下使用。Trench工艺提供良好的雪崩能力，但无ESD结构，操作时需注意静电防护。
RDS(on)与导通损耗
在VGS=-4.5V时，最大RDS(on)为14.5mΩ；VGS=-2.5V时最大为22mΩ。低RDS(on)显著降低I²R导通损耗，尤其适合大电流连续导通场景。栅极阈值电压VGSTH范围为-0.45V至-1.0V，确保低电压逻辑电平驱动能力。
开关特性与栅极驱动
栅极电荷Qg典型值未明确给出，但Trench工艺通常具有低Qg特性，利于高速开关。栅极电压VGS额定±12V，驱动电路应确保不超过此范围。关断时需注意寄生电感引起的栅极振荡。
热阻与功率计算
DFNWB2x2-6L封装热阻RθJA典型值约为60-80°C/W（取决于PCB铜箔面积）。最大功耗PD由Tc=25°C时约1.5W（基于RθJC=40°C/W）。实际设计需根据环境温度降额。
应用推荐
- 电池保护电路（锂电池充放电管理）
- 负载开关（如手机、平板等便携设备）
- DC-DC转换器中的同步整流或负载切换
代理渠道
长晶科技（JSCJ）授权代理商包括南山电子等。批量采购可联系原厂或区域代理。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-P | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | -20 | V |
| VGS | ±12 | |
| ID | -8.6 | A |
| VGSTH | -0.45~-1.0 | V |
| RDSM VGS | 14.5 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 22 | mΩ |
CJMP2202 常见问题
Q：CJMP2202 是什么器件？
A：CJMP2202 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用DFNWB2x2-6L封装。TYPE Single-P，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJMP2202 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJMP2202的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJMP2202.pdf 直接下载。
Q：CJMP2202 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJMP2202 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJMP2202 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJMP2202 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJMP2202 现货价格是多少？
A：CJMP2202 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。