CJMP3009G
平面型MOSFET DFNWB2x2-6L ✓ 量产中
产品概述
CJMP3009G是长晶科技（JSCJ）推出的一款P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench工艺制造，具有低导通电阻、快速开关特性。器件采用DFNWB2x2-6L小型封装，适用于空间受限的电源管理应用。主要参数：VDS=-30V，ID=-9A，RDS(on)典型值19mΩ@VGS=-10V。
VDS耐压分析
VDS=-30V，适用于低压DC-DC转换器、电池保护等电路。30V耐压等级可满足大多数便携式设备电源轨需求，同时提供足够的安全裕量。
RDS(on)与导通损耗
在VGS=-10V时，RDS(on)典型值为19mΩ，最大值为25mΩ；VGS=-4.5V时典型值为27mΩ，最大值为35mΩ。低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适合大电流负载开关应用。
开关特性与栅极驱动
栅极阈值电压VGSTH范围为-1.0V至-3.0V，兼容3.3V和5V逻辑电平驱动。栅极电荷Qg较低，有助于实现快速开关，减少开关损耗。驱动电压VGS推荐-10V以获得最低导通电阻。
热阻与功率计算
封装DFNWB2x2-6L具有较低热阻，结合良好的PCB散热设计，可有效管理功耗。最大功耗受限于结温150°C，需根据实际应用进行热计算。
应用推荐
- DC-DC转换器
- 电源管理
- 负载开关
- 电池保护
代理渠道
长晶科技官方授权代理商提供CJMP3009G样品及批量供货，可提供技术支持和参考设计。如需采购或获取详细资料，请联系当地代理商或访问长晶官网。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-P | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | -30 | V |
| VGS | ±20 | |
| ID | -9 | A |
| VGSTH | -1.0~-3.0 | V |
| RDSM VGS | 19 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 25 | |
| RDSM VGS 11 | 27 | |
| RDSM VGS 12 | 35 | mΩ |
CJMP3009G 常见问题
Q：CJMP3009G 是什么器件？
A：CJMP3009G 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用DFNWB2x2-6L封装。TYPE Single-P，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJMP3009G 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJMP3009G的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJMP3009G.pdf 直接下载。
Q：CJMP3009G 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJMP3009G 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJMP3009G 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJMP3009G 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJMP3009G 现货价格是多少？
A：CJMP3009G 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。