CJP50P06S
平面型MOSFET TO-220-3L-C ✓ 量产中
产品概述
CJP50P06S是长晶科技（JSCJ）推出的一款P沟道Trench MOSFET，采用TO-220-3L封装。其关键参数包括：VDS=-60V，ID=-50A，RDS(on)典型值25mΩ（VGS=-10V），阈值电压-1.0~-3.0V。该器件专为需要高效率和可靠性的电源管理应用设计。
VDS耐压分析
VDS=-60V的最大漏源电压使CJP50P06S适用于-48V电源系统、电池反向保护等应用。60V的耐压裕量保证了在开关瞬态尖峰下的可靠性。实际应用中需考虑温度对击穿电压的影响，高温下VDS会略有下降。
RDS(on)与导通损耗
典型RDS(on)为25mΩ（VGS=-10V），30mΩ（VGS=-4.5V），低导通电阻有效降低I²R导通损耗。对于-50A电流，导通损耗约为62.5W（25mΩ×50A²），需配合良好散热。Trench工艺优化了沟道密度，实现低导通电阻与低栅极电荷的平衡。
开关特性与栅极驱动
栅极电荷Qg典型值约60nC（数据手册查得），低Qg减小驱动损耗。阈值电压范围-1.0~-3.0V，需保证VGS驱动电压至少-10V以完全导通。VGS最大额定±20V，驱动电路需避免过冲。开关速度受栅极电阻影响，建议使用低阻抗驱动。
热阻与功率计算
TO-220封装热阻RθJC典型值1.5°C/W（假设）。最大功率耗散PD取决于外壳温度，例如TC=25°C时PD= (TJmax - TC)/RθJC = (175-25)/1.5=100W。实际应用中需降额使用，保证结温不超过175°C。
应用推荐
- 电源管理：DC-DC转换器、负载开关
- 电池保护：锂电池反向保护、充放电控制
- 电机驱动：直流电机H桥中的P沟道高侧开关
代理渠道
长晶科技（JSCJ）产品可通过授权代理商购买，如南山电子等。批量采购可直接联系长晶官方销售。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-P | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | -60 | V |
| VGS | ±20 | |
| ID | -50 | A |
| VGSTH | -1.0~-3.0 | V |
| RDSM VGS | 25 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 30 |
CJP50P06S 常见问题
Q：CJP50P06S 是什么器件？
A：CJP50P06S 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用TO-220-3L-C封装。TYPE Single-P，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJP50P06S 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJP50P06S的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJP50P06S.pdf 直接下载。
Q：CJP50P06S 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJP50P06S 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJP50P06S 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJP50P06S 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJP50P06S 现货价格是多少？
A：CJP50P06S 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。