CJQ07N10
平面型MOSFET SOP8 ✓ 量产中
产品概述
CJQ07N10是长晶科技（JSCJ）推出的一款N沟道平面型MOSFET，采用Trench工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性。器件采用SOP8标准表面贴装封装，适用于自动化贴装工艺，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等场景。
封装尺寸与引脚说明
SOP8封装尺寸为4.9mm × 3.9mm，引脚间距1.27mm。引脚1-3为源极（S），引脚4为栅极（G），引脚5-8为漏极（D）。PCB布局时建议在漏极引脚下方铺设铜箔以增强散热。
热阻参数解析
结到壳热阻Rth-JC典型值为2.5°C/W，结到环境热阻Rth-JA典型值为62°C/W（依据JEDEC标准）。热阻值受PCB铜箔面积和散热条件影响，实际应用中需根据布局优化。
最大功耗计算方法
最大功耗PD_max = (Tj_max - Ta) / Rth-JA。假设Tj_max=150°C，Ta=25°C，则PD_max≈2.0W。若需更大功率，需采用散热措施降低Rth-JA。
散热片选型建议
当功耗超过1W时，建议在PCB背面铺设大面积铜箔或加装小型散热片。SOP8封装可选用SMT型散热片，尺寸约10mm×10mm，可降低Rth-JA约20-30%。
电气参数
- VDS: 100V
- ID: 7A
- RDS(on): 25mΩ @ VGS=10V
- VGS(th): 1.2~3.0V
- Qg: 15nC (典型)
采购渠道
可通过长晶授权代理商南山电子等平台采购。批量采购建议联系JSCJ官方销售获取报价。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | 100 | V |
| VGS | ±20 | |
| ID | 7 | A |
| VGSTH | 1.2~3.0 | V |
| RDSM VGS | 25 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 28 | |
| RDSM VGS 11 | 28 | |
| RDSM VGS 12 | 38 | mΩ |
CJQ07N10 常见问题
Q：CJQ07N10 是什么器件？
A：CJQ07N10 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用SOP8封装。TYPE Single-N，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJQ07N10 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJQ07N10的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJQ07N10.pdf 直接下载。
Q：CJQ07N10 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJQ07N10 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJQ07N10 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJQ07N10 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJQ07N10 现货价格是多少？
A：CJQ07N10 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。