CJQ13N04

平面型MOSFET SOP8 ✓ 量产中

CJQ13N04 MOSFET 产品详情

CJQ13N04 是长晶科技(JSCJ)推出的一款N沟道平面型MOSFET,采用先进的Trench工艺,具有低导通电阻和快速开关特性。该器件专为开关电源(SMPS)应用设计,可广泛应用于同步整流、主开关、图腾柱等拓扑结构。

产品定位

CJQ13N04 在电源系统中可担任同步整流管或主开关管。在低压大电流的DC-DC转换器中,其低RDS(on)有助于降低导通损耗,提升效率;在反激变换器中,可作为初级开关管,实现快速开关。

电气参数

  • VDS:40V,适用于低压电源系统
  • ID:13A,满足中等电流需求
  • RDS(on)典型值:9.7mΩ @ VGS=10V,12mΩ @ VGS=4.5V
  • VGS(th):1.2~2.5V,易于驱动
  • 栅极电荷Qg:低,适合高频开关

在BUCK/BOOST/反激拓扑中的应用

在BUCK电路中,CJQ13N04可用作上管或下管,其低RDS(on)可降低导通损耗,而低Qg可减少开关损耗。在BOOST电路中,作为开关管时,其耐压40V足以应对输出过压情况。在反激拓扑中,作为初级MOSFET,其快速开关特性有助于减小漏感尖峰。

栅极驱动设计

建议栅极驱动电压为10V以完全导通,VGS(th)较低,需注意防止误导通。可在栅极串联电阻(如10Ω)以控制开关速度,并加装栅源电阻(10kΩ)以确保关断。驱动电路应尽量靠近MOSFET以减小寄生电感。

热管理

SOP8封装热阻约62°C/W(典型),在13A电流下需评估功耗。建议使用铜箔散热或加装散热片,确保结温不超过150°C。在自然冷却条件下,可降额使用。

采购信息

南山电子为长晶科技授权代理商,提供CJQ13N04现货供应,可提供样品及技术支持。批量采购价格优惠,欢迎咨询。

电气参数规格

参数数值单位
TYPESingle-N
PROCESSTrench
ESDNo
VDS40V
VGS±20
ID13A
VGSTH1.2~2.5V
RDSM VGS9.7
RDSM VGS 1012
RDSM VGS 1112.7
RDSM VGS 1217

CJQ13N04 常见问题

Q:CJQ13N04 是什么器件?
A:CJQ13N04 是长晶科技(JSCJ)生产的平面型MOSFET,采用SOP8封装。TYPE Single-N,PROCESS Trench,ESD No。
Q:CJQ13N04 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJQ13N04的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJQ13N04.pdf 直接下载。
Q:CJQ13N04 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJQ13N04 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJQ13N04 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJQ13N04 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJQ13N04 现货价格是多少?
A:CJQ13N04 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。