CJQ4824
平面型MOSFET SOP8 ✓ 量产中
产品概述
CJQ4824是长晶科技（JSCJ）推出的双N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench工艺，具有低导通电阻、低栅极电荷和快速开关特性。器件采用SOP8封装，漏源电压VDS为30V，连续漏极电流ID为10A，适用于高效率电源转换和负载管理。
VDS耐压分析
30V的漏源击穿电压（BVDSS）为系统提供充足的电压裕量，适用于12V/24V总线应用。Trench工艺优化了体二极管反向恢复特性，增强抗雪崩能力。实际应用中需考虑电压尖峰，建议降额至80%以下使用。
RDS(on)与导通损耗
典型RDS(on)在VGS=10V时为10.5mΩ，VGS=4.5V时为15mΩ。低导通电阻显著降低I²R导通损耗，适合大电流场景。需注意温度系数：125°C时RDS(on)约增加至1.5倍，热设计需留余量。
开关特性与栅极驱动
栅极阈值电压VGS(th)为0.7~3.0V，兼容3.3V和5V逻辑电平。栅极电荷Qg典型值约20nC（VGS=10V），开关速度快，适用于高频应用。驱动电路应避免栅极振荡，建议串联电阻10Ω~50Ω。
热阻与功率计算
SOP8封装结到环境热阻RθJA约62°C/W（PCB铜箔面积1平方英寸）。最大功耗PD= (TJmax - TA)/RθJA，结温上限150°C。25°C环境温度下理论PD≈2W，实际需考虑PCB散热能力。
应用推荐
- DC-DC转换器（同步整流、降压/升压）
- 负载开关
- 电池保护电路
- 电机驱动
代理渠道
长晶科技CJQ4824可通过官方授权分销商采购，如南山电子、华强芯城等。批量需求请直接联系长晶销售或代理商获取样品和技术支持。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Dual-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | 30 | V |
| VGS | ±20 | |
| ID | 10 | A |
| VGSTH | 0.7~3.0 | V |
| RDSM VGS | 10.5 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 15 | |
| RDSM VGS 11 | 14.5 | |
| RDSM VGS 12 | 20 | mΩ |
CJQ4824 常见问题
Q：CJQ4824 是什么器件？
A：CJQ4824 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用SOP8封装。TYPE Dual-N，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJQ4824 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJQ4824的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJQ4824.pdf 直接下载。
Q：CJQ4824 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJQ4824 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJQ4824 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJQ4824 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJQ4824 现货价格是多少？
A：CJQ4824 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。