CJQ9435

平面型MOSFET SOP8 ✓ 量产中

产品概述

CJQ9435是长晶(JSCJ)推出的一款P沟道增强型平面MOSFET,采用先进的Trench工艺制造,封装形式为SOP8。该器件具有低导通电阻、快速开关特性以及良好的热性能,广泛应用于负载开关、电池保护、DC-DC转换器等电源管理领域。

VDS耐压分析

CJQ9435的漏源击穿电压VDS为-30V,能够满足大多数低压应用的需求。在电池供电设备中,-30V的耐压裕量可有效应对瞬态过冲,确保器件可靠性。P沟道结构使得电路设计时可将源极接地,简化驱动电路。

RDS(on)与导通损耗

在VGS=-10V时,CJQ9435的典型导通电阻RDS(on)仅为40mΩ,最大值为60mΩ。低RDS(on)意味着更小的导通损耗,尤其在大电流(-5.1A)应用中可显著提高系统效率。例如,在5A负载下,导通损耗仅为1.02W(按40mΩ计算),有助于降低温升。

开关特性与栅极驱动

栅极阈值电压VGS(th)范围为-1.0V至-2.0V,兼容3.3V和5V逻辑电平驱动。栅极电荷Qg典型值未给出,但Trench工艺通常具有较低的Qg,有利于高频开关应用。栅源电压VGS最大额定值为±20V,提供了足够的驱动裕量。

热阻与功率计算

SOP8封装的热阻RθJA约为62.5°C/W(依PCB布局而定)。在最大功耗计算中,假设环境温度85°C,结温150°C,则最大允许功耗约为1.04W。实际应用中需结合RDS(on)和电流进行热设计,确保结温在安全范围内。

应用推荐

  • 电池保护电路(如锂电池充放电管理)
  • 负载开关(适用于便携设备电源切换)
  • DC-DC转换器(尤其是降压转换器中的同步整流)

代理渠道

长晶(JSCJ)CJQ9435可通过授权代理商或在线平台购买,如南山电子、华强北等。建议批量采购时联系原厂或一级代理商以获取技术支持与优惠价格。

电气参数规格

参数数值单位
TYPESingle-P
PROCESSTrench
ESDNo
VDS-30V
VGS±20
ID-5.1A
VGSTH-1.0~-2.0V
RDSM VGS40
RDSM VGS 1060
RDSM VGS 1156
RDSM VGS 12105

CJQ9435 常见问题

Q:CJQ9435 是什么器件?
A:CJQ9435 是长晶科技(JSCJ)生产的平面型MOSFET,采用SOP8封装。TYPE Single-P,PROCESS Trench,ESD No。
Q:CJQ9435 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJQ9435的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJQ9435.pdf 直接下载。
Q:CJQ9435 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJQ9435 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJQ9435 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJQ9435 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJQ9435 现货价格是多少?
A:CJQ9435 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。