CJQ9926
平面型MOSFET SOP8 ✓ 量产中
CJQ9926产品定位
CJQ9926是长晶科技（JSCJ）推出的一款双N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench工艺，具备低导通电阻、低栅极电荷和高效开关特性，专为低压、中等电流的电源管理应用设计。其SOP8封装节省PCB空间，适合高密度设计。
选型维度解析
耐压VDS：20V的漏源击穿电压，适用于5V、12V等低压系统，留有足够安全裕量。若系统存在电压尖峰，需评估是否满足降额要求。
电流ID：4.8A连续漏极电流（注：实际电流受热限制，需参考SOA曲线），可满足多数便携设备和小功率DC-DC转换器的需求。
导通电阻RDS(on)：典型值20mΩ@VGS=4.5V、30mΩ@VGS=2.5V，低RDS有助于减少导通损耗，提升效率。但需注意，RDS随温度升高而增大，高温下损耗增加。
封装：SOP8提供良好散热路径，适合中等功率应用。相比更大封装，SOP8可兼容SMD贴装，适合自动化生产。
CJQ9926优势
- 低导通电阻：在4.5V驱动下RDS(on)仅20mΩ，降低导通损耗，提升转换效率。
- 低栅极电荷：Trench工艺优化，Qg较小，适合高频开关应用。
- 双N沟道集成：一个封装内集成两个独立MOSFET，节省空间，适合同步整流或半桥拓扑。
- 宽VGS范围：±12V栅源电压，兼容3.3V/5V逻辑电平驱动。
典型应用推荐
- DC-DC转换器（如BUCK、BOOST）
- 电池保护电路（锂电池充放电管理）
- 负载开关（电源路径管理）
- 电机驱动（低压直流电机）
同系列型号对比
| 型号 | VDS | ID | RDS(on)@4.5V | 封装 | 特点 |
|---|---|---|---|---|---|
| CJQ9926 | 20V | 4.8A | 20mΩ | SOP8 | 双N沟道，低RDS |
| CJQ9435 | -30V | 5.3A | 50mΩ | SOP8 | 单P沟道，负压 |
| CJQ4407 | -30V | 12A | 13mΩ | SOP8 | 单P沟道，大电流 |
注：根据电路需求选择N沟道或P沟道，以及耐压和电流等级。
南山电子选型支持
南山电子作为长晶科技授权代理商，提供CJQ9926样品、技术资料和FAE支持。如需选型帮助或获取详细规格书，请访问南山电子官网或联系客服。我们可协助进行热仿真、电路优化及替代型号推荐。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Dual-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | 20 | V |
| VGS | ±12 | |
| ID | 4.8 | A |
| VGSTH | 0.6~1.2 | V |
| RDSM VGS | 20 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 30 | mΩ |
CJQ9926 常见问题
Q：CJQ9926 是什么器件？
A：CJQ9926 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用SOP8封装。TYPE Dual-N，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJQ9926 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJQ9926的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJQ9926.pdf 直接下载。
Q：CJQ9926 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJQ9926 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJQ9926 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJQ9926 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJQ9926 现货价格是多少？
A：CJQ9926 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。