CJS8804
平面型MOSFET TSSOP8 ✓ 量产中
产品定位
CJS8804是长晶科技（JSCJ）推出的一款高性能双N沟道MOSFET，采用TSSOP8封装，专为低压大电流应用设计。其典型导通电阻低至9.8mΩ，特别适用于电池保护电路、负载开关和同步整流等场景，能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
低RDS(on)优势分析
CJS8804采用先进的Trench工艺，在VGS=4.5V时典型导通电阻仅为9.8mΩ，最大值为13mΩ；在VGS=10V时典型值为10.5mΩ，最大值为14mΩ。极低的导通电阻意味着在相同电流下导通损耗更小，发热更低，特别适合需要长时间稳定运行的电池供电设备。此外，该器件具备ESD保护能力，增强了可靠性。
电气参数表
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | - | - | - | 20 | V |
| 栅源电压 | VGS | - | -12 | - | 12 | V |
| 漏极电流 | ID | TA=25°C | - | - | 8 | A |
| 栅极阈值电压 | VGSTH | VDS=VGS, ID=250μA | 0.5 | - | 1.0 | V |
| 导通电阻 | RDS(on) | VGS=4.5V, ID=4A | - | 9.8 | 13 | mΩ |
| 导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=4A | - | 10.5 | 14 | mΩ |
电池保护/BMS应用
在锂电池保护电路和BMS系统中，CJS8804的双N沟道结构可实现充放电双向控制，低导通电阻确保在过流或短路时快速响应，降低能量损耗。其20V的VDS额定值可覆盖单节至多节电池保护需求，ESD保护特性增强了抗静电能力。
PCB布局与散热建议
为确保CJS8804发挥最佳性能，建议在PCB布局时：1）将MOSFET靠近电池或负载，缩短大电流路径；2）在TSSOP8封装下方铺设大面积铜箔，并增加散热过孔；3）栅极驱动走线应远离高di/dt回路，防止寄生振荡。良好的热管理可使器件在8A连续电流下稳定工作。
长晶品牌介绍
长晶科技（JSCJ）是国内领先的半导体分立器件供应商，专注于MOSFET、二极管、三极管等产品的研发与制造。公司拥有先进的Trench工艺和严格的品质管控体系，产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域，以高可靠性和高性价比著称。
南山电子购买渠道
CJS8804现由南山电子（Nanshan Electronics）提供现货供应。南山电子作为长晶科技授权代理商，可提供原厂正品、技术支持及快速样品服务。如需采购或获取样品，请访问南山电子官网或联系当地销售代表。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Dual-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | Yes | |
| VDS | 20 | V |
| VGS | ±12 | |
| ID | 8 | A |
| VGSTH | 0.5~1.0 | V |
| RDSM VGS | 9.8 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 13 | |
| RDSM VGS 11 | 10.5 | |
| RDSM VGS 12 | 14 | mΩ |
CJS8804 常见问题
Q：CJS8804 是什么器件？
A：CJS8804 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用TSSOP8封装。TYPE Dual-N，PROCESS Trench，ESD Yes。
Q：CJS8804 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJS8804的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJS8804.pdf 直接下载。
Q：CJS8804 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJS8804 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJS8804 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJS8804 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJS8804 现货价格是多少？
A：CJS8804 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。