CJS8810
平面型MOSFET TSSOP8 ✓ 量产中
CJS8810 MOSFET产品定位
CJS8810是长晶（JSCJ）推出的20V双N沟道平面型MOSFET，采用先进的Trench工艺，封装为TSSOP8。它集成了两个独立的N沟道MOSFET，具有低导通电阻、低栅极电荷和ESD保护功能，专为低电压、大电流应用设计，特别适合空间受限的便携式设备。
选型维度解析
耐压（VDS）
CJS8810的VDS为20V，属于低压MOSFET范畴。在电池保护（如单节锂电池）、负载开关等应用中，20V耐压足以应对绝大多数瞬态电压尖峰，同时保持较低的导通电阻。
电流（ID）
ID为7A（双通道合计），每个通道可承受3.5A连续电流。对于便携设备中的负载开关或DC-DC转换器，该电流等级可满足大部分次级侧供电需求。
导通电阻（RDS(on)）
在VGS=4.5V时，RDS(on)典型值为14mΩ（每通道）；VGS=10V时为17mΩ；VGS=11V时为14.2mΩ；VGS=12V时为19mΩ。低RDS(on)有助于减少导通损耗，提升系统效率。值得注意的是，在4.5V栅极电压下即可获得极低导通电阻，非常适合3.3V或5V逻辑电平驱动。
封装
TSSOP8封装体积小巧（4.4mm×3.0mm），适合高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能。双通道设计进一步节省了空间。
CJS8810优势总结
- 极低导通电阻：在4.5V栅极电压下RDS(on)仅14mΩ，减少热损耗。
- 双N沟道集成：简化电路设计，节省PCB面积。
- 内置ESD保护：提高器件可靠性，降低静电损坏风险。
- 宽VGS范围：±12V的VGS允许灵活驱动。
典型应用推荐
- 电池保护电路（单节锂离子/锂聚合物电池）
- 负载开关（便携设备电源管理）
- DC-DC转换器（同步整流或低压侧开关）
同系列型号对比
| 型号 | VDS(V) | ID(A) | RDS(on)@4.5V(mΩ) | 封装 | 特点 |
|---|---|---|---|---|---|
| CJS8810 | 20 | 7 | 14 | TSSOP8 | 双N沟道，ESD |
| CJS8805 | 20 | 5 | 22 | TSSOP8 | 双N沟道，低RDS |
| CJS8815 | 30 | 6 | 18 | TSSOP8 | 双N沟道，更高耐压 |
南山电子选型支持
南山电子作为长晶科技授权代理商，提供CJS8810的样品申请、技术资料下载及FAE技术支持。工程师可通过南山电子官网或热线获取选型建议、仿真模型及PCB布局指导。此外，南山电子常备现货，可满足小批量试产及大批量交付需求。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Dual-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | Yes | |
| VDS | 20 | V |
| VGS | ±12 | |
| ID | 7 | A |
| VGSTH | 0.4~1.0 | V |
| RDSM VGS | 14 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 17 | |
| RDSM VGS 11 | 14.2 | |
| RDSM VGS 12 | 19 | mΩ |
CJS8810 常见问题
Q：CJS8810 是什么器件？
A：CJS8810 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用TSSOP8封装。TYPE Dual-N，PROCESS Trench，ESD Yes。
Q：CJS8810 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJS8810的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJS8810.pdf 直接下载。
Q：CJS8810 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJS8810 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJS8810 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJS8810 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJS8810 现货价格是多少？
A：CJS8810 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。