CJS8810A
平面型MOSFET TSSOP8 ✓ 量产中
器件简介
CJS8810A是长晶科技（JSCJ）推出的双N沟道增强型平面MOSFET，采用先进的Trench工艺，具有低导通电阻、快速开关特性及内置ESD保护。封装为TSSOP8，节省PCB空间，适用于空间受限的电机驱动应用。
电机驱动为何选择此参数
电机驱动（如H桥、半桥、三相逆变器）要求MOSFET具有低RDS(on)以减少导通损耗，高ID电流能力以驱动电机，以及适当的VDS耐压。CJS8810A的VDS为20V，ID为7A，RDS(on)典型值13.6mΩ（VGS=4.5V），完美匹配低压直流电机驱动需求。双N沟道设计简化了驱动电路，TSSOP8封装适合紧凑布局。
电气特性详解
- VDS：20V，确保在12V电源系统中有足够余量。
- ID：7A连续电流，峰值电流更高，可驱动小型直流电机。
- RDS(on)：在VGS=4.5V时典型值13.6mΩ，VGS=10V时17.7mΩ，低导通电阻减少发热。
- VGSTH：阈值电压0.4~1.0V，低阈值便于低压逻辑驱动。
- ESD：内置ESD保护，增强可靠性。
H桥/半桥应用设计要点
在H桥或半桥拓扑中，CJS8810A的双N沟道配置需搭配自举电路驱动高侧MOSFET。建议使用专用栅极驱动IC，如IR2104。注意布局对称性，减小寄生电感。由于RDS(on)低，可并联多个MOSFET以降低总导通电阻，但需注意热均衡。
死区时间与体二极管特性
死区时间设置需考虑体二极管反向恢复特性。CJS8810A的体二极管反向恢复时间短（trr典型值约30ns），可缩短死区时间，提高效率并减少二极管反向恢复损耗。建议死区时间设为100~200ns，根据实际测试调整。体二极管正向压降低，有助于续流。
保护电路
建议添加：
- 栅极串联电阻（10~100Ω）抑制振铃。
- 源极电阻用于电流检测。
- TVS二极管钳位栅源电压，防止过压。
- RC snubber吸收开关尖峰。
采购信息
CJS8810A由长晶科技（JSCJ）生产，TSSOP8封装，可提供卷带包装。样品可通过授权分销商申请，批量订货交期约4~6周。价格具有竞争力，适合消费类电机驱动产品。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Dual-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | Yes | |
| VDS | 20 | V |
| VGS | ±10 | |
| ID | 7 | A |
| VGSTH | 0.4~1.0 | V |
| RDSM VGS | 13.6 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 17.7 | |
| RDSM VGS 11 | 14.5 | |
| RDSM VGS 12 | 18.9 | mΩ |
CJS8810A 常见问题
Q：CJS8810A 是什么器件？
A：CJS8810A 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用TSSOP8封装。TYPE Dual-N，PROCESS Trench，ESD Yes。
Q：CJS8810A 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJS8810A的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJS8810A.pdf 直接下载。
Q：CJS8810A 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJS8810A 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJS8810A 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJS8810A 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJS8810A 现货价格是多少？
A：CJS8810A 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。