CJS9004

平面型MOSFET TSSOP8 ✓ 量产中

产品定位:高效同步整流与主开关方案

CJS9004是长晶科技(JSCJ)推出的双N沟道平面型MOSFET,采用Trench工艺,专为开关电源(SMPS)优化。其低导通电阻(典型值7.5mΩ @ VGS=4.5V,9mΩ @ VGS=12V)和低栅极电荷特性,使其非常适合作为同步整流MOSFET或低压侧主开关器件,在48V/12V/5V等中间总线架构中表现优异。同时,其双通道封装(TSSOP8)可简化图腾柱PFC或半桥拓扑的布局。

关键电气参数解析

  • VDS=20V:适用于低压DC-DC转换器,如POL模块、服务器电源。
  • ID=10A:连续漏极电流能力,满足中等功率需求。
  • RDS(on)低至7.5mΩ:减少导通损耗,提升效率。
  • VGS(th)=0.5~0.9V:低阈值电压,支持低压驱动,兼容3.3V/5V逻辑电平。
  • 内置ESD保护:增强抗静电能力,提高可靠性。

在BUCK/BOOST/反激拓扑中的使用

在BUCK转换器中,CJS9004可用作同步整流管,其低RDS(on)可显著降低续流损耗,典型应用包括12V转1.8V/3.3V的DC-DC模块。在BOOST拓扑中,作为主开关管,其低阈值电压和快速开关特性有助于减小开关损耗。对于反激变换器,双通道封装可同时集成原边开关和副边同步整流,节省PCB空间。

栅极驱动设计建议

CJS9004的栅极电荷(Qg)较低,推荐使用标准MOSFET驱动器(如TC4427)或直接由PWM控制器驱动。由于VGS承受范围为±12V,驱动电压建议在4.5V至10V之间,以平衡导通电阻和开关速度。可串联10Ω栅极电阻以抑制振铃。

热管理策略

TSSOP8封装的热阻约为80°C/W(无散热焊盘),在10A连续电流下需考虑散热。推荐使用大面积铜箔铺铜,并添加散热过孔,必要时增加风冷。对于高频率应用,需注意结温不超过150°C。

采购信息

CJS9004由南山电子提供现货供应,可提供样品及批量订货。欢迎访问南山电子官网获取技术文档和购买支持。

电气参数规格

参数数值单位
TYPEDual-N
PROCESSTrench
ESDYes
VDS20V
VGS±12
ID10A
VGSTH0.5~0.9V
RDSM VGS7.5
RDSM VGS 129

CJS9004 常见问题

Q:CJS9004 是什么器件?
A:CJS9004 是长晶科技(JSCJ)生产的平面型MOSFET,采用TSSOP8封装。TYPE Dual-N,PROCESS Trench,ESD Yes。
Q:CJS9004 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJS9004的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJS9004.pdf 直接下载。
Q:CJS9004 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJS9004 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJS9004 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJS9004 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJS9004 现货价格是多少?
A:CJS9004 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。