CJU100N03

平面型MOSFET TO-252-2L ✓ 量产中

CJU100N03 MOSFET选型指南

长晶JSCJ的CJU100N03是一款30V/100A N沟道平面型MOSFET,采用先进的Trench工艺和TO-252-2L封装,专为低压大电流应用设计。在电源转换、电池保护、电机驱动等场景中,它提供了低导通电阻和高电流能力,是工程师值得考虑的功率开关方案。

选型维度解析

MOSFET的选型需综合权衡耐压(VDS)、电流(ID)、导通电阻(RDS(on))及封装散热能力。对于低压系统(如12V/24V),30V的VDS留有足够余量,同时较低的RDS(on)能减少导通损耗。100A的ID能力配合TO-252封装,适合中等功率设计。CJU100N03在4.5V VGS下RDS(on)典型值仅4.5mΩ,在10V下为6.5mΩ,显著降低损耗。此外,其阈值电压(VGS(th))为1.0~3.0V,易于驱动。

CJU100N03的优势

该型号在低压大电流领域优势明显:超低RDS(on)减少发热,提升效率;100A连续电流能力满足高功率需求;TO-252封装兼容性强,易于焊接和散热。相比同系列其他型号,它在导通电阻和电流等级上表现突出。

典型应用推荐

  • DC-DC转换器中的同步整流或负载开关
  • 锂电池保护电路(如电动工具、无人机)
  • 低压电机驱动(如风扇、水泵)

同系列型号对比

型号VDS(V)ID(A)RDS(on)@10V(mΩ)封装
CJU100N03301006.5TO-252
CJU80N0330808.5TO-252
CJU60N03306012TO-252

从上表可见,CJU100N03在电流和导通电阻上均为系列最优,适合对损耗和功率密度要求更高的设计。

南山电子选型支持

南山电子作为长晶JSCJ授权代理商,提供CJU100N03的样品、技术文档及选型指导。如需详细规格书或应用咨询,请联系我们的工程师团队,获取定制化解决方案。

电气参数规格

参数数值单位
TYPESingle-N
PROCESSTrench
ESDNo
VDS30V
VGS±20
ID100A
VGSTH1.0~3.0V
RDSM VGS4.5
RDSM VGS 106.5
RDSM VGS 116.5
RDSM VGS 129

CJU100N03 常见问题

Q:CJU100N03 是什么器件?
A:CJU100N03 是长晶科技(JSCJ)生产的平面型MOSFET,采用TO-252-2L封装。TYPE Single-N,PROCESS Trench,ESD No。
Q:CJU100N03 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJU100N03的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJU100N03.pdf 直接下载。
Q:CJU100N03 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJU100N03 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJU100N03 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJU100N03 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJU100N03 现货价格是多少?
A:CJU100N03 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。