CJU110N03
平面型MOSFET TO-252-2L ✓ 量产中
产品定位
CJU110N03是长晶科技（JSCJ）推出的低压大电流N沟道平面型MOSFET，采用先进的Trench工艺，专为电池管理、负载开关和同步整流等高效能应用设计。其极低的导通电阻和高电流能力，使其成为电动工具、UPS、通信电源等领域的理想功率开关器件。
低RDS(on)优势分析
CJU110N03在VGS=10V时典型RDS(on)仅为5.5mΩ（最大），在VGS=4V时更低至4mΩ，极大降低了导通损耗。在电池放电、负载开关等大电流路径中，低RDS(on)意味着更少的能量以热量形式散失，从而提升系统整体效率，延长电池续航时间。同时，较低的导通电阻也减少了散热需求，简化了热管理设计。
电气参数表
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Single-N |
| 工艺 | Trench |
| VDS (V) | 30 |
| VGS (±V) | 20 |
| ID (A) | 110 |
| VGS(th) (V) | 1.0~2.5 |
| RDS(on) @VGS=4V (mΩ) | 4 (典型) |
| RDS(on) @VGS=10V (mΩ) | 5.5 (最大) |
| 封装 | TO-252-2L |
电池保护/BMS应用
在电池保护板（BMS）中，CJU110N03可作为充放电开关管。其30V的漏源耐压可覆盖单节至多节锂电池组，110A的连续电流能力满足大功率放电需求。低阈值电压（1.0~2.5V）确保低电压驱动下可靠导通，配合低RDS(on)，可有效减少电池在充放电过程中的能量损耗，提高电池利用率。
PCB布局与散热建议
为充分发挥CJU110N03的低导通电阻优势，建议PCB布局时：
- 加大漏极和源极铜箔面积，必要时使用散热过孔增强导热。
- 缩短大电流路径，减少寄生电阻和电感。
- 确保栅极驱动回路短且远离大电流回路，避免耦合干扰。
- 在TO-252-2L封装底部铺设散热焊盘，并连接至大面积地铜。
若工作电流较大，可考虑加装小型散热片或使用强制风冷。
长晶品牌介绍
长晶科技（JSCJ）是国内领先的半导体器件供应商，专注于功率MOSFET、二极管、三极管等产品的研发与制造。凭借先进的Trench工艺和严格的质量管控，长晶产品在性能、可靠性和性价比方面具有显著优势，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
南山电子购买渠道
南山电子是长晶科技官方授权代理商，提供CJU110N03原装正品现货，支持小批量样品和批量订购。访问南山电子官网或联系销售团队，获取最新价格和技术支持。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | 30 | V |
| VGS | ±20 | |
| ID | 110 | A |
| VGSTH | 1.0~2.5 | V |
| RDSM VGS | 4 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 5.5 |
CJU110N03 常见问题
Q：CJU110N03 是什么器件？
A：CJU110N03 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用TO-252-2L封装。TYPE Single-N，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJU110N03 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJU110N03的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJU110N03.pdf 直接下载。
Q：CJU110N03 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJU110N03 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJU110N03 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJU110N03 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJU110N03 现货价格是多少？
A：CJU110N03 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。