CJU30N10
平面型MOSFET TO-252-2L ✓ 量产中
产品定位
CJU30N10是长晶科技（JSCJ）推出的N沟道平面型MOSFET，采用Trench工艺，专为低压大电流应用设计。其100V耐压和30A连续电流能力，使其成为电池管理、负载开关和同步整流的理想选择。
低RDS(on)优势分析
该器件在VGS=10V时典型导通电阻仅24mΩ，极低的导通电阻有效降低了导通损耗，提升了系统效率。在电池放电或负载开关场景中，可减少热量产生，延长电池续航，并简化热管理设计。
电气参数表
| 参数 | 值 |
|---|---|
| VDS (V) | 100 |
| ID (A) | 30 |
| RDS(on) @10V (mΩ) | 24 |
| VGS(th) (V) | 1.3~2.5 |
| 封装 | TO-252-2L |
电池保护/BMS应用
在锂电池保护板中，CJU30N10作为充放电开关，其低导通电阻确保最小压降，保护电池免受过流和短路损害。适用于电动工具、电动自行车、储能系统等BMS方案。
PCB布局与散热建议
建议将MOSFET靠近电池连接端，使用宽铜箔走线降低寄生电阻。TO-252封装底部散热焊盘需连接大面积铜皮，并可通过过孔增强散热。在30A连续电流下，建议评估热阻并添加散热器。
长晶品牌介绍
长晶科技（JSCJ）是国内领先的半导体器件供应商，专注于MOSFET、二极管等功率器件，产品广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子，以高可靠性和性价比著称。
南山电子购买渠道
南山电子是长晶科技授权代理商，提供CJU30N10原装正品，支持小批量样品和批量订货。访问南山电子官网或联系销售团队获取报价和技术支持。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | 100 | V |
| VGS | ±20 | |
| ID | 30 | A |
| VGSTH | 1.3~2.5 | V |
| RDSM VGS | 24 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 31 |
CJU30N10 常见问题
Q：CJU30N10 是什么器件？
A：CJU30N10 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用TO-252-2L封装。TYPE Single-N，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJU30N10 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJU30N10的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJU30N10.pdf 直接下载。
Q：CJU30N10 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJU30N10 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJU30N10 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJU30N10 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJU30N10 现货价格是多少？
A：CJU30N10 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。