CJU55N02

平面型MOSFET TO-252-2L ✓ 量产中

CJU55N02 MOSFET – 低压大电流高效开关

CJU55N02是长晶科技(JSCJ)推出的N沟道沟槽型功率MOSFET,采用TO-252-2L封装,额定电压20V,持续电流55A。其超低导通电阻(典型值5.8mΩ)显著降低导通损耗,特别适用于电池保护、负载开关及同步整流等低压大电流应用。

低RDS(on)优势分析

CJU55N02的RDS(on)在VGS=4.5V时仅5.8mΩ,VGS=10V时8mΩ,VGS=12V时7mΩ。相比同类产品,其导通电阻降低约20%,从而减少功耗,提升系统效率。在电池管理系统中,低RDS(on)意味着更少的热量产生,延长电池寿命。

电气参数表

参数
VDS (V)20
ID (A)55
RDS(on) @4.5V (mΩ)5.8
RDS(on) @10V (mΩ)8
VGS(th) (V)0.4~1.2
封装TO-252-2L

电池保护/BMS应用

在锂电池保护板中,CJU55N02作为充放电开关,其极低的导通电阻确保最小压降,同时沟槽工艺提供快速开关能力。典型应用包括单节/多节电池包、电动工具及便携设备。

PCB布局与散热建议

为充分发挥CJU55N02的低热阻优势,建议:1) 将漏极焊盘直接连接大面积铜箔;2) 使用过孔阵列将热量传导至背面;3) 保持栅极走线短而粗,避免寄生振荡。

长晶品牌介绍

长晶科技(JSCJ)是国内领先的半导体分立器件制造商,专注于MOSFET、二极管等产品,以高可靠性和性价比著称,广泛应用于消费电子、工业及汽车领域。

南山电子购买渠道

CJU55N02由南山电子授权代理,提供现货供应及技术支持。访问南山电子官网或联系销售获取样品与报价。

电气参数规格

参数数值单位
TYPESingle-N
PROCESSTrench
ESDNo
VDS20V
VGS±12
ID55A
VGSTH0.4~1.2V
RDSM VGS5.8
RDSM VGS 108
RDSM VGS 117
RDSM VGS 1210

CJU55N02 常见问题

Q:CJU55N02 是什么器件?
A:CJU55N02 是长晶科技(JSCJ)生产的平面型MOSFET,采用TO-252-2L封装。TYPE Single-N,PROCESS Trench,ESD No。
Q:CJU55N02 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJU55N02的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJU55N02.pdf 直接下载。
Q:CJU55N02 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJU55N02 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJU55N02 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJU55N02 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJU55N02 现货价格是多少?
A:CJU55N02 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。