CJX3439K
平面型MOSFET SOT-563 ✓ 量产中
产品概述
CJX3439K是长晶科技（JSCJ）推出的N/P沟道平面型MOSFET，采用先进的Trench工艺制造，集成ESD保护，封装为SOT-563。该器件适用于低压、小电流的开关应用，特别是需要互补MOSFET对的场合。
VDS耐压分析
VDS为±20V，能够满足常见的3.3V、5V及12V电源轨的开关需求。雪崩能量能力需参考数据手册，但作为低压器件，其设计重点在于低导通电阻而非高压耐受。
RDS(on)与导通损耗
N沟道RDS(on)典型值380mΩ（VGS=4.5V），P沟道典型值520mΩ（VGS=-4.5V）。低导通电阻有助于减小导通损耗，尤其在电池供电设备中提升效率。
开关特性与栅极驱动
栅极阈值电压VGSTH为0.35~1.1V（N沟道），低阈值电压允许直接由逻辑电平驱动。栅极电荷Qg较小（数据手册提供），适合高频开关。内置ESD保护增强了栅极可靠性。
热阻与功率计算
SOT-563封装热阻较高，需注意散热。最大功耗受限于环境温度，工程师应计算实际结温以确保在安全范围内。
应用推荐
- 电池保护电路（锂离子电池充放电管理）
- 负载开关（低功耗设备电源切换）
- DC-DC转换器中的同步整流（低压侧）
- 逻辑电平转换
代理渠道
长晶科技产品可通过授权分销商如南山电子购买。建议联系官方获取最新库存和样品支持。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | N/P-ch | |
| PROCESS | Trench Trench | |
| ESD | Yes Yes | |
| VDS | 20 -20 | V |
| VGS | ±12 ±12 | |
| ID | 0.75 -0.66 | A |
| VGSTH | 0.35~1.1 -0.35~-1.1 | V |
| RDSM VGS | - - | mΩ |
| RDSM VGS 10 | - - | |
| RDSM VGS 11 | - 270 | |
| RDSM VGS 12 | 380 520 | mΩ |
CJX3439K 常见问题
Q：CJX3439K 是什么器件？
A：CJX3439K 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用SOT-563封装。TYPE N/P-ch，PROCESS Trench
Trench，ESD Yes
Yes。
Q：CJX3439K 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJX3439K的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJX3439K.pdf 直接下载。
Q：CJX3439K 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJX3439K 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJX3439K 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJX3439K 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJX3439K 现货价格是多少？
A：CJX3439K 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。