CJAC1R3SN06A
SGT MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中
产品概述
CJAC1R3SN06A是长晶科技（JSCJ）推出的SGT（Split Gate Trench）工艺N沟道功率MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L封装，具有极低导通电阻和优异开关性能。其典型RDS(on)仅0.9mΩ，最大漏极电流ID达300A，适用于高功率密度应用。
VDS耐压分析
60V的漏源击穿电压（VDS）可满足48V系统（如通信电源、电动工具）的电压裕量要求。SGT结构通过优化电场分布，在相同耐压下降低导通电阻，相比传统沟槽MOSFET，FOM（RDS(on)×Qg）提升约30%。
RDS(on)与导通损耗
在VGS=10V时，RDS(on)典型值1.2mΩ，最大1.6mΩ；VGS=6V时典型值0.9mΩ。极低电阻使导通损耗（I²R）显著降低，尤其适合大电流持续导通场景。例如，在100A负载下，导通损耗仅12W（RDS(on)=1.2mΩ），有利于简化热设计。
开关特性与栅极驱动
栅极阈值电压VGSTH为2.0~3.5V，兼容3.3V/5V逻辑电平驱动。SGT工艺降低了栅极电荷Qg（典型值约80nC），使开关速度更快，减少开关损耗。建议使用15~20Ω栅极电阻优化EMI。
热阻与功率计算
PDFNWB5x6-8L封装具有低热阻，结到环境热阻RθJA约40°C/W（取决于PCB设计）。最大功耗PD=125W（TC=25°C）。实际应用中需确保结温不超过175°C，推荐设计裕量150°C。
应用推荐
- DC-DC转换器（48V输入）
- 电机驱动（电动工具、无人机）
- 电池保护电路（锂电保护板）
- 电源管理（服务器电源）
代理渠道
长晶科技官方授权代理商包括华强半导体、南山电子等。样品可联系JSCJ销售或通过代理商申请。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-N | |
| PROCESS | SGT | |
| ESD | No | |
| VDS | 60 | V |
| VGS | ±20 | V |
| ID | 300 | A |
| VGSTH | 2.0~3.5 | V |
| RDSM VGS | 0.9 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 1.2 | mΩ |
CJAC1R3SN06A 常见问题
Q：CJAC1R3SN06A 是什么器件？
A：CJAC1R3SN06A 是长晶科技（JSCJ）生产的SGT MOSFET，采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N，PROCESS SGT，ESD No。
Q：CJAC1R3SN06A 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAC1R3SN06A的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAC1R3SN06A.pdf 直接下载。
Q：CJAC1R3SN06A 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJAC1R3SN06A 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJAC1R3SN06A 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJAC1R3SN06A 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJAC1R3SN06A 现货价格是多少？
A：CJAC1R3SN06A 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。