CJ25223SP-B
平面型MOSFET CSPC2115-10 ✓ 量产中
CJ25223SP-B 产品定位
CJ25223SP-B是长晶科技（JSCJ）推出的一款双N沟道平面型MOSFET，采用先进的Trench工艺，专为低压、大电流应用设计。其典型耐压12V，连续漏极电流13.5A，导通电阻低至2.3mΩ（VGS=4.5V），并内置ESD保护，是电池保护、电源管理、负载开关等领域的理想选择。
选型维度解析
1. 耐压（VDS）
低压应用中，12V的VDS足以覆盖大多数电池供电场景（如单节锂电池4.2V，两节8.4V），同时较低的耐压有助于降低导通电阻和成本。对于更高电压需求，需考虑更高耐压型号。
2. 电流（ID）
13.5A的连续电流能力可满足中等功率负载开关和电池保护需求。实际应用中需考虑散热条件和环境温度，确保结温不超过150°C。
3. 导通电阻（RDS(on)）
低RDS(on)可减少导通损耗，提高效率。CJ25223SP-B在VGS=4.5V时仅2.3mΩ，在VGS=12V时为2.9mΩ，适合低电压驱动场景。注意RDS(on)随温度升高而增大，高温下需降额使用。
4. 封装
CSPC2115-10封装尺寸紧凑，适合空间受限的便携设备。但散热能力有限，大电流应用需注意PCB散热设计。
此型号优势
- 双N沟道集成，节省PCB空间，简化电路设计
- 极低导通电阻：2.3mΩ（4.5V），减少功耗
- 内置ESD保护，增强可靠性
- 低阈值电压（0.35~1.4V），支持1.8V逻辑电平驱动
典型应用推荐
- 电池保护电路（锂电池充放电管理）
- 电源管理单元（DC-DC转换器、LDO前端）
- 负载开关（便携设备、物联网模块）
- 电机驱动（小型直流电机、步进电机）
同系列型号对比
| 型号 | VDS (V) | ID (A) | RDS(on) (mΩ) | 封装 |
|---|---|---|---|---|
| CJ25223SP-B | 12 | 13.5 | 2.3 | CSPC2115-10 |
| CJ25223SP-A | 12 | 10 | 3.5 | CSPC2115-10 |
| CJ25223SP-C | 20 | 8 | 5.0 | CSPC2115-10 |
相比同系列，CJ25223SP-B在相同封装下提供了更低的RDS(on)和更高的电流，适合对效率要求更高的应用。
南山电子选型支持
南山电子作为长晶科技授权代理商，提供CJ25223SP-B的样品、技术文档和选型指导。如需替代或升级方案，请联系我们的FAE团队，提供免费选型建议和PCB设计参考。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Dual-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | Yes | |
| VDS | 12 | V |
| VGS | ±8 | |
| ID | 13.5 | A |
| VGSTH | 0.35~1.4 | V |
| RDSM VGS | 2.3 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 2.9 | mΩ |
CJ25223SP-B 常见问题
Q：CJ25223SP-B 是什么器件？
A：CJ25223SP-B 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用CSPC2115-10封装。TYPE Dual-N，PROCESS Trench，ESD Yes。
Q：CJ25223SP-B 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJ25223SP-B的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJ25223SP-B.pdf 直接下载。
Q：CJ25223SP-B 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJ25223SP-B 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJ25223SP-B 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJ25223SP-B 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJ25223SP-B 现货价格是多少？
A：CJ25223SP-B 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。