CJ6207SP

平面型MOSFET CSPB2213-6 ✓ 量产中

CJ6207SP MOSFET选型指南

CJ6207SP是长晶科技(JSCJ)推出的双N沟道平面型MOSFET,采用Trench工艺,ESD保护,适用于低压、大电流应用场景。本文从选型维度解析其优势,并提供典型应用与同系列对比。

一、选型维度解析

  1. 耐压(VDS):CJ6207SP的VDS为12V,适合3.3V/5V系统,如电池保护、负载开关。更高电压需选VDS≥20V的型号。
  2. 电流(ID):ID=8.5A,可满足多数便携设备需求。若需更大电流,可并联使用或选更高ID型号。
  3. 导通电阻(RDS(ON)):典型值4mΩ@VGS=4.5V,6.4mΩ@VGS=2.5V,低RDS可减少导通损耗,提升效率。
  4. 封装:CSPB2213-6(2mm×2mm)小型化封装,适合空间受限设计。

二、此型号优势

  • 双N沟道集成,节省PCB面积。
  • 低阈值电压(0.4~1.4V),适合低压驱动。
  • 内置ESD保护,增强可靠性。
  • Trench工艺,开关性能优异。

三、典型应用推荐

  • 锂电池保护板(如单节/双节锂电)
  • DC-DC转换器同步整流
  • 负载开关(如手机、平板)
  • 电源管理模块

四、同系列型号对比

型号VDSIDRDS(ON)@4.5V封装
CJ6207SP12V8.5A4mΩCSPB2213-6
CJ6206SP12V6A6mΩCSPB2213-6
CJ6208SP12V10A3.5mΩCSPB2213-6

选型建议:若需更低RDS,可选CJ6208SP;若成本敏感,CJ6206SP更经济。

五、南山电子选型支持

南山电子提供长晶全系列MOSFET样品、技术资料及FAE支持。工程师可联系我们获取CJ6207SP数据手册、仿真模型及设计指导。

电气参数规格

参数数值单位
TYPEDual-N
PROCESSTrench
ESDYes
VDS12V
VGS±8
ID8.5A
VGSTH0.4~1.4V
RDSM VGS4
RDSM VGS 126.4

CJ6207SP 常见问题

Q:CJ6207SP 是什么器件?
A:CJ6207SP 是长晶科技(JSCJ)生产的平面型MOSFET,采用CSPB2213-6封装。TYPE Dual-N,PROCESS Trench,ESD Yes。
Q:CJ6207SP 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJ6207SP的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJ6207SP.pdf 直接下载。
Q:CJ6207SP 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJ6207SP 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJ6207SP 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJ6207SP 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJ6207SP 现货价格是多少?
A:CJ6207SP 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。