CJ8508SP

平面型MOSFET CSPC3421-10 ✓ 量产中

产品定位

CJ8508SP是长晶科技(JSCJ)推出的一款高性能双N沟道平面型MOSFET,采用先进的Trench工艺,专为低压大电流应用设计。其典型应用包括电池管理系统(BMS)、负载开关、同步整流等,尤其适合需要高效率和小尺寸的便携式设备、电动工具及通信电源。

低RDS(on)优势分析

CJ8508SP具有极低的导通电阻,典型值仅为2.45mΩ(VGS=4.5V)和3.2mΩ(VGS=2.5V),显著降低了导通损耗,提升了系统效率。在电池供电设备中,低RDS(on)意味着更少的能量转化为热量,延长电池续航时间。同时,该器件内置ESD保护,增强了可靠性,减少了外部保护元件需求。

电气参数表

参数
TYPEDual-N
PROCESSTrench
ESDYes
VDS (V)12
VGS (V)±12
ID (A)13
VGSTH (V)0.35~1.4
RDS(on) @ VGS=4.5V (mΩ)2.45
RDS(on) @ VGS=2.5V (mΩ)3.2

电池保护/BMS应用

在电池管理系统中,CJ8508SP作为电池保护开关,其低导通电阻有助于减少充电和放电过程中的功率损失。双N沟道设计便于实现电池包的正极或负极控制,配合专用IC可完成过充、过放、短路保护。典型应用包括单节锂电池保护板、多节串联电池组等。

PCB布局与散热建议

为充分发挥CJ8508SP的低热阻优势,建议PCB布局时:1)将器件放置在铜箔面积较大的区域,利用散热过孔连接底层铜皮;2)确保漏极焊盘有足够的铜箔面积以散热;3)避免长距离走线引入寄生电感;4)对于大电流应用,建议采用多层板设计,并加宽漏极和源极走线。

长晶品牌介绍

长晶科技(JSCJ)是国内领先的半导体器件供应商,专注于功率器件、分立器件及模拟IC的研发与生产。公司拥有先进的晶圆制造和封测能力,产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。CJ8508SP作为其MOSFET产品线的一员,继承了长晶一贯的高可靠性和高性价比优势。

南山电子购买渠道

南山电子是长晶科技授权代理商,提供CJ8508SP的样品申请、小批量采购及技术支持。客户可通过南山电子官网或客服热线获取产品数据手册、应用笔记及实时库存信息。批量订单享有优惠价格和快速交货服务。

电气参数规格

参数数值单位
TYPEDual-N
PROCESSTrench
ESDYes
VDS12V
VGS±12
ID13A
VGSTH0.35~1.4V
RDSM VGS2.45
RDSM VGS 123.2

CJ8508SP 常见问题

Q:CJ8508SP 是什么器件?
A:CJ8508SP 是长晶科技(JSCJ)生产的平面型MOSFET,采用CSPC3421-10封装。TYPE Dual-N,PROCESS Trench,ESD Yes。
Q:CJ8508SP 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJ8508SP的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJ8508SP.pdf 直接下载。
Q:CJ8508SP 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJ8508SP 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJ8508SP 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJ8508SP 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJ8508SP 现货价格是多少?
A:CJ8508SP 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。