CJAB35N03

CJAB35N03是长晶科技（JSCJ）推出的一款30V/35A N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench工艺，具有极低的导通电阻和快速开关特性。其PDFNWB3.3x3.3-8L封装兼顾小尺寸与优秀散热性能，特别适用于高功率密度开关电源（SMPS）设计。

产品定位与典型应用

CJAB35N03在SMPS中可担任同步整流管、主开关管或图腾柱PFC中的关键器件。在同步整流应用中，其低RDS(on)（典型值5.5mΩ）能有效降低整流损耗，提升转换效率；在硬开关拓扑中，较低的栅极电荷（Qg）有助于减少开关损耗。

电气参数详解

• VDS=30V，VGS=±20V，ID=35A
• RDS(on) @VGS=10V: 5.5mΩ（典型）
• RDS(on) @VGS=4.5V: 7mΩ（典型）
• VGS(th)=1.0~3.0V
• 无ESD保护（需注意栅极驱动保护）

低阈值电压（1.0V）使其适合低压驱动，但需避免栅极过冲损坏。

在BUCK/BOOST/反激拓扑中的使用

BUCK变换器：作为同步整流管时，CJAB35N03的5.5mΩ导通电阻可显著减小占空比损失，尤其适合低压大电流输出（如1.2V/20A）。建议搭配低电压驱动的控制器（如5V VCC），利用其低VGS(th)实现快速切换。

BOOST变换器：作为主开关管，其30V耐压可满足12V升压至24V的应用。注意在连续导通模式（CCM）下，需优化驱动电路以降低开关损耗。

反激变换器：适用于低压侧开关（如12V输入，5V输出），Trench工艺带来的低RDS(on)有助于抑制电压尖峰，但需配合RCD吸收电路。

栅极驱动设计

CJAB35N03的栅极电荷（Qg）典型值约12nC（@VGS=10V），建议驱动电流>1A以缩短开关时间。驱动电压推荐10V，以充分降低RDS(on)。由于无ESD保护，栅极需串联电阻（如10Ω）并添加齐纳二极管钳位（例如VGS=±15V）。

热管理

PDFNWB3.3x3.3-8L封装具有底部散热焊盘，结到壳热阻（RθJC）约3°C/W。在35A电流下（占空比50%），功耗约5.5mΩ * 35² * 0.5 = 3.4W，壳温温升约10°C。建议PCB设计时加大铜箔面积，必要时加装小型散热片。

采购信息

南山电子（深圳）有限公司为长晶科技授权代理商，提供CJAB35N03现货及技术支持。批量采购可享优惠价格，交期2~4周。样品申请请访问官网或联系销售代表。