CJAB35P03
平面型MOSFET PDFNWB3.3x3.3-8L ✓ 量产中
产品概述
CJAB35P03是长晶科技（JSCJ）推出的一款P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术，具有极低的导通电阻和快速的开关特性。该器件采用PDFNWB3.3x3.3-8L无引脚封装，节省PCB空间，适合高密度电源设计。
封装尺寸与引脚说明
CJAB35P03采用PDFNWB3.3x3.3-8L封装，外形尺寸为3.3mm×3.3mm，高度0.75mm。引脚分配：1-3脚为源极（Source），4脚为栅极（Gate），5-8脚为漏极（Drain）。底部有散热焊盘，需焊接在PCB铜皮上以增强散热。
热阻参数解析
热阻是评估MOSFET散热能力的关键参数。CJAB35P03的热阻参数如下：
- 结到壳热阻（Rth-JC）：典型值2.5°C/W
- 结到环境热阻（Rth-JA）：典型值50°C/W（取决于PCB布局和铜箔面积）
Rth-JC表示热量从芯片结传递到封装外壳的热阻，用于计算散热片需求；Rth-JA表示芯片结到环境空气的热阻，用于无散热片自然冷却场景。
最大功耗计算方法
最大功耗PD(max)由最大结温Tj(max)和环境温度Ta决定：PD = (Tj(max) - Ta) / Rth-JA。例如，在85°C环境温度下，Tj(max)=150°C时，PD(max) = (150-85)/50 = 1.3W。若使用散热片，根据Rth-JC和散热片热阻Rth-HS计算：PD = (Tj - Tc) / (Rth-JC + Rth-HS)。
散热片选型建议
对于CJAB35P03，当功耗超过1W时建议使用散热片。选择散热片时需确保其热阻低于(Tj - Tc)/PD - Rth-JC。例如，若需在Tc=85°C时耗散2W，则散热片热阻需小于(150-85)/2 - 2.5 = 30°C/W。推荐使用小型铝散热片或PCB铜皮散热。
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| VDS | -30V |
| ID | -35A |
| RDS(on) @VGS=-10V | 9mΩ |
| RDS(on) @VGS=-4.5V | 15mΩ |
| VGS(th) | -1.0~-2.5V |
采购渠道
CJAB35P03由长晶科技生产，可通过授权代理商如南山电子等购买。建议批量采购时联系原厂或代理商获取最优价格。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-P | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | -30 | V |
| VGS | ±20 | |
| ID | -35 | A |
| VGSTH | -1.0~-2.5 | V |
| RDSM VGS | 9 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 15 | |
| RDSM VGS 11 | 14 | |
| RDSM VGS 12 | 25 | mΩ |
CJAB35P03 常见问题
Q：CJAB35P03 是什么器件？
A：CJAB35P03 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用PDFNWB3.3x3.3-8L封装。TYPE Single-P，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJAB35P03 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAB35P03的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAB35P03.pdf 直接下载。
Q：CJAB35P03 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJAB35P03 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJAB35P03 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJAB35P03 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJAB35P03 现货价格是多少？
A：CJAB35P03 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。