CJAC150N03A

平面型MOSFET PDFNWB5x6-8L ✓ 量产中

产品概述

CJAC150N03A 是长晶科技(JSCJ)推出的单N沟道平面型MOSFET,采用先进的沟槽工艺,具有极低的导通电阻和快速开关特性。该器件采用PDFNWB5x6-8L封装,专为高电流密度应用设计,适用于电源管理、电机驱动、电池保护等场景。

封装尺寸与引脚说明

PDFNWB5x6-8L 封装尺寸为5mm×6mm,厚度0.9mm,8个引脚。引脚1为栅极(G),引脚2-7为源极(S),引脚8为漏极(D),底部散热焊盘与漏极相连。详细尺寸请参考数据手册。

热阻参数解析

热阻是评估MOSFET散热性能的关键参数:

  • 结到壳热阻 Rth-JC:典型值 0.8℃/W(最大值1.0℃/W)
  • 结到环境热阻 Rth-JA:典型值 40℃/W(取决于PCB布局和散热条件)
Rth-JC 表示芯片到封装表面的热阻,用于计算散热片设计;Rth-JA 表示芯片到环境的热阻,用于自然散热条件。

最大功耗计算方法

最大功耗 PD = (Tjmax - Ta) / Rth-JA,其中 Tjmax=175℃,Ta为环境温度。例如,在25℃环境下,PD=(175-25)/40=3.75W。实际应用中需根据散热条件调整。

散热片选型建议

对于高功率应用,建议使用散热片。选择散热片时需确保其热阻 Rth-HS 满足:Rth-HS ≤ (Tjmax - Ta) / PD - Rth-JC - Rth-Interface。推荐使用导热硅脂或导热垫片降低接触热阻。

电气参数

  • 漏源电压 VDS:30V
  • 栅源电压 VGS:±20V
  • 漏极电流 ID:150A (连续)
  • 栅极阈值电压 VGSTH:1.0~2.5V
  • 导通电阻 RDS(on):典型值1.4mΩ @ VGS=10V
  • ESD:无内置保护(需外部防护)

采购渠道

可通过长晶科技授权代理商或线上平台如南山电子、华强北等购买。建议批量采购时联系原厂获取样品和技术支持。

电气参数规格

参数数值单位
TYPESingle-N
PROCESSTrench
ESDNo
VDS30V
VGS±20
ID150A
VGSTH1.0~2.5V
RDSM VGS1.4
RDSM VGS 102
RDSM VGS 112
RDSM VGS 122.7

CJAC150N03A 常见问题

Q:CJAC150N03A 是什么器件?
A:CJAC150N03A 是长晶科技(JSCJ)生产的平面型MOSFET,采用PDFNWB5x6-8L封装。TYPE Single-N,PROCESS Trench,ESD No。
Q:CJAC150N03A 的规格书在哪里下载?
A:点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJAC150N03A的原厂数据手册(PDF),或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJAC150N03A.pdf 直接下载。
Q:CJAC150N03A 在哪里购买?
A:南山电子是长晶科技(JSCJ)的授权代理商,可提供 CJAC150N03A 的原厂正品,支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q:CJAC150N03A 有哪些替代型号?可替代哪些进口或国产型号?
A:CJAC150N03A 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换,具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师,提供应用电路参数,我们将为您推荐最优替代方案。
Q:CJAC150N03A 现货价格是多少?
A:CJAC150N03A 的价格因市场行情和采购数量有所波动,建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单,量大享阶梯优惠。