CJAC2R8P02MJ

产品概述

CJAC2R8P02MJ是长晶科技（JSCJ）推出的单P沟道平面型MOSFET，采用先进的Trench工艺，在PDFNWB5x6-8L小型封装中实现了极低的导通电阻与高电流处理能力。其关键参数包括：VDS=-20V，ID=-150A，RDS(on)典型值2.1mΩ（VGS=-4.5V）和2.8mΩ（VGS=-2.5V），适用于低压大电流应用。

VDS耐压分析

-20V的漏源击穿电压（VDS）使其能够安全工作在12V及以下电源轨（如锂电池、主板供电），并留有充足余量。该器件采用Trench结构，优化了击穿电压与导通电阻的折衷，确保在雪崩或过压瞬态下的可靠性。

RDS(on)与导通损耗

导通电阻RDS(on)是决定导通损耗的关键。CJAC2R8P02MJ在VGS=-4.5V时典型值仅2.1mΩ，在VGS=-2.5V时也低至2.8mΩ，这意味着在-150A电流下，导通损耗分别为47.25W和63W（忽略温度影响），远低于同类产品。低RDS(on)直接转化为高效率，尤其适合大电流持续工作的场景。

开关特性与栅极驱动

栅极电荷Qg典型值58nC，栅极阈值电压VGS(th)范围-0.55V至-1.0V，表明其低电压驱动特性，可直接由3.3V或5V逻辑电平驱动。寄生电容（Ciss~3500pF，Crss~550pF）适中，开关速度良好，适合高频或硬开关应用。建议栅极驱动电阻在10Ω~22Ω之间，以平衡开关损耗与EMI。

热阻与功率计算

结到环境热阻RθJA约40°C/W（取决于PCB布局），结到外壳热阻RθJC典型值2.5°C/W。最大结温175°C，因此最大允许功耗约3.75W（RθJA=40°C/W，环境温度25°C）。实际应用中需考虑散热设计，如加大铜箔面积或使用散热器，以充分发挥150A电流能力。

应用推荐

• 锂电池保护电路（BMS）
• DC-DC转换器与负载点电源
• 笔记本/平板电脑电源管理
• 电机驱动与逆变器
• 服务器与通信设备热插拔电路

代理渠道

长晶科技CJAC2R8P02MJ可通过官方授权代理商采购，如南山电子、等全球分销商，以及国内代理商（如深圳华强北、上海赛格）。批量采购建议联系JSCJ销售团队获取样品与技术支持。