CJBA3139K
平面型MOSFET DFN1006-3L ✓ 量产中
产品定位
CJBA3139K是长晶科技（JSCJ）推出的一款单P沟道平面型MOSFET，采用先进的Trench工艺，专为低压大电流应用设计。其DFN1006-3L超小封装（1.0mm×0.6mm）使其成为便携设备、电池保护板及负载开关的理想选择。
低RDS(on)优势分析
CJBA3139K具有极低的导通电阻：在VGS=-4.5V时典型值仅450mΩ，VGS=-2.5V时典型值520mΩ。相比同类产品，导通损耗降低约15%，有效提升系统效率。同时，内置ESD保护，增强可靠性。
电气参数表
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Single-P |
| 工艺 | Trench |
| VDS | -20V |
| VGS | ±12V |
| ID | -0.66A |
| VGSTH | -0.35~-1.1V |
| RDS(on)@VGS=-4.5V | 450mΩ |
| RDS(on)@VGS=-2.5V | 520mΩ |
| ESD | Yes |
电池保护/BMS应用
在锂电池保护板中，CJBA3139K作为放电MOSFET，其低导通电阻可减少电池放电时的压降，延长电池使用时间。配合精密检测IC，实现过流、短路保护。
PCB布局与散热建议
DFN1006-3L封装热阻较低，建议在PCB上增加散热铜箔，将漏极引脚与大面积铜层连接。保持走线短而宽，减少寄生电感。
长晶品牌介绍
长晶科技（JSCJ）是国内领先的半导体分立器件制造商，产品涵盖MOSFET、二极管、三极管等，广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子领域。
南山电子购买渠道
南山电子为长晶科技授权代理商，提供CJBA3139K现货供应及技术支持。访问南山电子官网或联系销售团队获取样品及批量报价。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-P | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | Yes | |
| VDS | -20 | V |
| VGS | ±12 | |
| ID | -0.66 | A |
| VGSTH | -0.35~-1.1 | V |
| RDSM VGS | 450 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 520 | mΩ |
CJBA3139K 常见问题
Q：CJBA3139K 是什么器件？
A：CJBA3139K 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用DFN1006-3L封装。TYPE Single-P，PROCESS Trench，ESD Yes。
Q：CJBA3139K 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJBA3139K的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJBA3139K.pdf 直接下载。
Q：CJBA3139K 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJBA3139K 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJBA3139K 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJBA3139K 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJBA3139K 现货价格是多少？
A：CJBA3139K 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。