CJCD2007A
平面型MOSFET DFNWB2x3-6L ✓ 量产中
产品概述
CJCD2007A是长晶科技（JSCJ）推出的双N沟道平面型MOSFET，采用先进的Trench工艺，具有低导通电阻和快速开关特性。器件内置ESD保护，提高系统可靠性。适用于负载开关、电源转换、电池保护等应用。
封装尺寸与引脚说明
采用DFNWB2x3-6L无铅封装，尺寸为2mm×3mm，厚度0.75mm。引脚配置：1-Source1, 2-Gate1, 3-Source2, 4-Gate2, 5-Drain2, 6-Drain1。底部裸露焊盘（Drain）用于散热，建议PCB布局时提供足够铜箔面积。
热阻参数解析
热阻参数：Rth-JC（结到壳）典型值2.5°C/W，Rth-JA（结到环境）典型值62°C/W（取决于PCB设计）。低Rth-JC表明芯片到封装表面的热传导效率高，适合通过PCB铜箔散热。
最大功耗计算方法
最大功耗PD = (TJ,max - TA) / Rth-JA。假设TJ,max=150°C，环境温度25°C，则PD≈2W。实际应用中需根据PCB散热能力调整。
散热片选型建议
由于DFNWB2x3封装较小，建议采用PCB铜箔散热。增加底层散热过孔和顶层铜皮面积可有效降低Rth-JA。若环境温度较高或功耗较大，可考虑使用小型铝散热片黏贴于封装顶部。
电气参数
- VDS: 20V
- ID: 8A
- RDS(on) @VGS=4.5V: 10.5mΩ
- RDS(on) @VGS=2.5V: 13.7mΩ
- VGS(th): 0.4~1.0V
- ESD: 2000V HBM
采购渠道
可通过长晶科技官网、授权分销商如南山电子购买。批量订购请联系原厂或代理商。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Dual-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | Yes | |
| VDS | 20 | V |
| VGS | ±10 | |
| ID | 8 | A |
| VGSTH | 0.4~1.0 | V |
| RDSM VGS | 10.5 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 13.7 | |
| RDSM VGS 11 | 11.3 | |
| RDSM VGS 12 | 14.7 | mΩ |
CJCD2007A 常见问题
Q：CJCD2007A 是什么器件？
A：CJCD2007A 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用DFNWB2x3-6L封装。TYPE Dual-N，PROCESS Trench，ESD Yes。
Q：CJCD2007A 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJCD2007A的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJCD2007A.pdf 直接下载。
Q：CJCD2007A 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJCD2007A 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJCD2007A 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJCD2007A 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJCD2007A 现货价格是多少？
A：CJCD2007A 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。