CJL3407
平面型MOSFET SOT-23-6L ✓ 量产中
产品概述
CJL3407是长晶科技（JSCJ）推出的单P沟道增强型MOSFET，采用先进的Trench工艺制造，具有低导通电阻、快速开关特性。器件采用SOT-23-6L封装，节省PCB空间，适用于便携式设备和电池供电系统。
VDS耐压分析
VDS=-30V，确保在-24V及以下电压轨中安全工作，留有20%降额余量，适合12V/24V电池系统、负载开关等应用。P沟道设计便于高侧驱动，简化电路。
RDS(on)与导通损耗
典型RDS(on)在VGS=-10V时为50mΩ，VGS=-4.5V时为60mΩ，VGS=-2.5V时为87mΩ。低RDS(on)显著降低导通损耗I²R，提升效率。ID=-4.1A，适合中等电流负载开关。
开关特性与栅极驱动
栅极阈值电压VGSTH=-1.0~-3.0V，兼容3.3V/5V逻辑电平。最大VGS=±20V，提供宽驱动范围。开关速度受Qg影响，需优化驱动电阻以平衡损耗与EMI。
热阻与功率计算
封装热阻RθJA约250°C/W（典型），需合理布局散热。最大功耗Ptot=1.25W（TA=25°C）。结温范围-55~150°C，确保热可靠性。
应用推荐
- DC-DC转换器高侧开关
- 电池保护电路（如锂电池放电控制）
- 负载开关/电源路径管理
- 低压侧开关（配合PWM控制）
代理渠道
长晶科技授权代理商包括：南山电子、华强北分销商等。样品申请可联系原厂或代理商。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Single-P | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | No | |
| VDS | -30 | V |
| VGS | ±20 | |
| ID | -4.1 | A |
| VGSTH | -1.0~-3.0 | V |
| RDSM VGS | 50 | mΩ |
| RDSM VGS 10 | 60 | |
| RDSM VGS 11 | 68 | |
| RDSM VGS 12 | 87 | mΩ |
CJL3407 常见问题
Q：CJL3407 是什么器件？
A：CJL3407 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用SOT-23-6L封装。TYPE Single-P，PROCESS Trench，ESD No。
Q：CJL3407 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJL3407的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJL3407.pdf 直接下载。
Q：CJL3407 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJL3407 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJL3407 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJL3407 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJL3407 现货价格是多少？
A：CJL3407 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。