CJND2004
平面型MOSFET DFNWB5x2-6L ✓ 量产中
产品定位
CJND2004是长晶科技（JSCJ）推出的双N沟道平面型MOSFET，采用先进的Trench工艺，专为低压大电流应用设计。其20V的漏源电压和10A的连续漏极电流能力，使其成为电池管理、负载开关和同步整流等场景的理想选择。
低RDS(on)优势分析
CJND2004在VGS=4.5V时典型导通电阻仅为8mΩ，在VGS=12V时为10.5mΩ，有效降低导通损耗，提升系统效率。低RDS(on)意味着更少的功率损耗和热量产生，延长电池续航，并简化散热设计。
电气参数表
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | 双N沟道 |
| 工艺 | Trench |
| VDS (V) | 20 |
| VGS (V) | ±12 |
| ID (A) | 10 |
| VGS(th) (V) | 0.4~1.0 |
| RDS(on) @ VGS=4.5V (mΩ) | 8 |
| RDS(on) @ VGS=12V (mΩ) | 10.5 |
| ESD | 有 |
| 封装 | DFNWB5x2-6L |
电池保护/BMS应用
在电池保护板（BMS）中，CJND2004可充当充放电开关，其低导通电阻减少能量损耗，提高电池使用效率。双N沟道设计便于实现电池串并联保护，ESD保护功能增强可靠性。
PCB布局与散热建议
建议将MOSFET放置在靠近电池端子的位置，以减小回路电感。利用PCB铜皮散热，确保漏极焊盘有足够的散热面积。对于大电流路径，使用宽走线或多层板。
长晶品牌介绍
长晶科技（JSCJ）是国内领先的半导体器件供应商，专注于功率器件的研发与制造，产品广泛应用于消费电子、工业控制等领域。CJND2004采用成熟工艺，品质可靠。
南山电子购买渠道
南山电子是长晶科技授权代理商，提供CJND2004原装正品，库存充足，支持小批量采购。访问南山电子官网或联系销售团队获取报价和技术支持。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Dual-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | Yes | |
| VDS | 20 | V |
| VGS | ±12 | |
| ID | 10 | A |
| VGSTH | 0.4~1.0 | V |
| RDSM VGS | 8 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 10.5 | mΩ |
CJND2004 常见问题
Q：CJND2004 是什么器件？
A：CJND2004 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用DFNWB5x2-6L封装。TYPE Dual-N，PROCESS Trench，ESD Yes。
Q：CJND2004 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJND2004的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJND2004.pdf 直接下载。
Q：CJND2004 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJND2004 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJND2004 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJND2004 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJND2004 现货价格是多少？
A：CJND2004 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。