CJND2004S
平面型MOSFET DFNWB5x2-6L ✓ 量产中
高压MOSFET产品概述
CJND2004S是长晶科技（JSCJ）推出的双N沟道平面型MOSFET，采用先进的Trench工艺，具备ESD防护能力。其VDS为18V，ID达10A，导通电阻低至8.9mΩ（VGS=4.5V），适用于高压工业、光伏逆变器和充电桩等对可靠性要求严苛的应用场景。
耐压裕量与可靠性
18V的漏源击穿电压提供了充足的耐压裕量，确保在电网波动和开关尖峰下安全运行。内部ESD保护结构增强了抗静电能力，降低现场失效风险。通过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）和温度循环，保证长期稳定性。
电气参数详解
- TYPE： Dual-N，双通道集成，节省PCB空间
- PROCESS： Trench，实现低导通电阻与低栅极电荷
- VDS： 18V，额定电压，适应高压输入
- VGS： ±12V，宽栅极驱动范围
- ID： 10A，连续漏极电流
- VGSTH： 0.4~1.1V，低阈值电压
- RDS(on)@VGS=4.5V： 8.9mΩ，典型值
- RDS(on)@VGS=12V： 11.6mΩ，典型值
光伏逆变器应用
在光伏逆变器中，CJND2004S可用于MPPT电路和DC/DC转换器。18V耐压适配光伏板输出电压范围，双N通道简化推挽拓扑。低导通电阻降低传导损耗，提升系统效率。ESD保护抵御雷击感应，增强户外可靠性。
工业变频应用
用于工业变频器的辅助电源和电机驱动，CJND2004S的高开关速度和低栅极电荷有助于减少开关损耗。DFNWB5x2-6L小型封装适合紧凑型设计，双通道节省空间。宽阈值电压范围适应不同驱动IC，简化设计。
安全使用规范
为确保安全，建议将VDS裕量保持在20%以上。栅极驱动电压应严格在±12V内。焊接温度不超过260°C，时间小于10秒。避免静电放电，操作时佩戴防静电手环。详细参考数据手册的绝对最大额定值。
代理采购
长晶科技官方授权代理商提供CJND2004S样品及批量供货，支持技术选型。联系当地代理商获取最新价格和库存信息，也可通过JSCJ官网查询授权渠道。批量采购可享受技术支持与售后保障。
电气参数规格
| 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|
| TYPE | Dual-N | |
| PROCESS | Trench | |
| ESD | Yes | |
| VDS | 18 | V |
| VGS | ±12 | |
| ID | 10 | A |
| VGSTH | 0.4~1.1 | V |
| RDSM VGS | 8.9 | mΩ |
| RDSM VGS 12 | 11.6 | mΩ |
CJND2004S 常见问题
Q：CJND2004S 是什么器件？
A：CJND2004S 是长晶科技（JSCJ）生产的平面型MOSFET，采用DFNWB5x2-6L封装。TYPE Dual-N，PROCESS Trench，ESD Yes。
Q：CJND2004S 的规格书在哪里下载？
A：点击本页"下载规格书"按钮可直接获取CJND2004S的原厂数据手册（PDF），或访问 https://jscj.nscn.com.cn/datasheet/CJND2004S.pdf 直接下载。
Q：CJND2004S 在哪里购买？
A：南山电子是长晶科技（JSCJ）的授权代理商，可提供 CJND2004S 的原厂正品，支持样品申请和批量采购。请通过本页企业微信按钮联系我们询价。
Q：CJND2004S 有哪些替代型号？可替代哪些进口或国产型号？
A：CJND2004S 可参考同规格进口或国产替代型号进行替换，具体替代型号因批次和应用场景不同有所差异。建议通过企业微信联系南山电子选型工程师，提供应用电路参数，我们将为您推荐最优替代方案。
Q：CJND2004S 现货价格是多少？
A：CJND2004S 的价格因市场行情和采购数量有所波动，建议通过本页"询价 / 申请样品"按钮联系南山电子获取最新含税报价单，量大享阶梯优惠。